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英飞凌推出1200V SiC MOSFET 将提高可靠性和降低系统成本

发布时间:2018-12-27    来源:弘威电子    浏览:629

英飞凌(Infineon)推出革命性的1200V SiC MOSFET,使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求,并提高可靠性和降低系统成本。

电源转换方案的开关频率可达到目前所用开关频率的三倍或以上。还能带来诸多益处,如减少磁性元件和系统外壳所用的铜和铝两种材料的用量,便于打造更小、更轻的系统,从而减少运输工作量,并且更便于安装。新解决方案有助于节能的特点由电源转换设计人员来实现。这些应用的性能、效率和系统灵活性也将提升至全面层面。

    这款全新的MOSFET融汇了Infineon在SiC领域多年的开发经验,基于先进的沟槽半导体工艺,代表着Infineon CoolSiC产品家族的最新发展。首款分立式1200 V CoolSiC MOSFET的导通电阻(RDS(ON))额定值为45mΩ。它们将采用3引脚和4引脚TO-247封装,4引脚封装有一个额外的源极连接端子(Kelvin),作为门极驱动的信号管脚,以消除由于源极电感引起的压降的影响,这可以进一步降低开关损耗,特别是在更高开关频率时。

    当前针对光伏逆变器、不间断电源(UPS)或充电/储能系统等应用的系统改进,此后可将其范围扩大到工业变频器。

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